东芯半导体精彩亮相深圳国际电子展
2023.08.23~08.25 深圳会展中心（福田）
东芯半导体携品牌全系列产品及热门领域应用精彩亮相深圳国际电子展，展台活动现场热闹非凡，东芯半导体很开心与到场的观众能够面对面沟通交流。虽展会已圆满结束，没能抵达现场也不慌！
展会云walk 现在马上开始！
全
系
列
产
品
SPI NAND Flash
单芯片设计的串行通信方案，引脚少、封装尺寸小，且在同一颗粒上集成了存储阵列和控制器，并带有内部ECC模块，使其在满足数据传输效率的同时，既节约了空间，又提升了稳定性。
PPI NAND Flash
兼容传统的并行接口标准，高可靠性。
容量从1Gb到16Gb， 3.3V/1.8V两种电压，
多种封装方式的产品，以满足不同应用场景。
NOR Flash
可提供通用SPI接口、
容量从64Mb到1Gb，电压为1.8V，
Single/Dual/Quad SPI和QPI四种指令模式、DTR传输模式和多种封装方式。
DRAM
DDR3（L）
具备高传输速率以及低工作电压
可提供1.5V/1.35V两种电压模式，
具有标准SSTL接口、8n-bit prefetch DDR架构
和8个内部bank的DDR3 SDRAM，
是主流的内存产品。
LPDDR1/2/4X
LPDDR1的核心电压与IO电压均低至1.8V，LPDDR2的VDDCA/VDDQ低至1.2V，
LPDDR4X的VDDQ更低至0.6V。
MCP
具有NAND Flash和DDR多种容量组合，
均为低电压的设计，核心电压1.8V
将Flash和DDR合二为一进行封装，
简化走线设计，节省组装空间，
高效集成电路，提高产品稳定性。
现
场
热
闹
非
凡
嵌
入
式
技
术
大
会
聚焦高附加值存储,探索5G+IoT应用创新
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5G+IoT时代迅速发展
5G建设快车道发展，基站和终端产品数量快速增加，物联网终端爆炸式增长，都需要高速且稳定可靠的存储芯片。行业下行周期，5G+IoT是个好机遇。
聚焦高附加值存储
作为本土Fabless芯片设计企业
不断优化产品结构， 提高产品可靠性
微缩产品制程，降低功耗
NAND:38nm→2xnm→1xnm
NOR:65nm→55nm→48nm
NAND和NOR Flash均有产品
通过AEC-Q100测试，
且核心技术优势明显。
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探索5G+IoT应用创新
从设计到产业化的一站式解决方案，满足客户对存储芯片的特定需求。
积极布局高可靠性工业类应用，不断提高产品在网络通讯、 物联网、工业控制及监控安防等高端应用领域的渗透率。持续强化质量管理，提供优质服务。
10月，2023华南慕尼黑电子展再见！
关于东芯
东芯半导体以卓越的MEMORY设计技术，专业的技术服务实力，通过国内外技术引进和合作，致力打造成为中国本土优秀的具有自主知识产权的存储芯片设计公司。
