《全球防务动态》系列专刊简介


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《智造动态专刊》简介


聚焦全球智能制造领域的权威情报产品,每日精选航空技术与应用人工智能、工业机器人、增材制造、芯片工艺等核心技术突破与产业动态,以结构化、可编辑的文档形式呈现。内容涵盖技术解析、企业战略及政策影响,依托资深专家团队及强大的开源情报处理能力,助力企业快速捕捉技术趋势与市场机遇,把握智造脉搏,引领产业升级。


智造动态专报

1.  新型替代模型实现激光熔融工艺快速校准

图示, 示意图

AI 生成的内容可能不正确。

当地时间2026119日据addma网站消息,肖恩欣内布施、艾伯特C图等学者提出一种基于替代模型的校准方法,可大幅提升激光粉末床熔融(LPBF)工艺的分层热仿真效率,为航天零件制造提供技术支撑。该成果发表于《AdditiveManufacturing》期刊,相关研究获美国国家航空航天局专项资金支持。

该方法借助主成分分析构建替代模型,通过4个主成分捕捉温度历程,平均绝对百分比误差低于0.1%,每个成分采用工艺参数低阶多项式建模。仅需18次工艺仿真即可拟合模型系数,运算速度较传统有限元法快4-5个数量级,数分钟内便可完成参数校准,较传统方法减少50%仿真次数。

测试显示,该模型校准吸收率、对流换热系数等参数后,4种测试几何形状的温度预测误差为2.84%-3.46%,对两种未参与测试的几何形状预测误差低于3.7%。其通用参数条件适配多种几何形状,能精准预测零件热累积与残余应力,可广泛应用于航天领域高精度零件制造,显著降低校准耗时与计算资源消耗。

原新闻链接:

https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S2214860426000175

2.  南亚科技Q4EPS创纪录1QDDR系列涨价供应紧

当地时间2026119日据trendforce网站消息,中国台湾地区DDR4核心企业南亚科技公布2025年第四季度亮眼业绩,成为存储器价格上涨的主要受益者。该季度公司税后净利润110.83亿新台币,净利润率36.8%EPS3.58新台币;2025年全年净利润66.03亿新台币,EPS2.13新台币,重回全年盈利。

财报显示,第四季度DRAM平均售价环比飙升逾30%,销量低双位数增长,推动毛利率升至49%,较第三季度提升30.5个百分点。公司总裁李培瑛表示,受供应增长有限及AI需求强劲影响,DDR5DDR4DDR3等多款产品将持续短缺,2026年第一季度将进一步涨价,利润有望增长。同时,南亚科技计划2026年资本支出500亿新台币,为去年2.7倍,新晶圆厂将于2027年初启动设备安装。

目前,公司128GBDDR5RDIMM5600/6400已通过功能测试,单芯片速度达7200Mb/sDDR4LPDDR4供应持续优化。第三代、第四代10纳米级制程及定制化AI项目按计划推进,将支撑下一代存储器解决方案研发。作为中国台湾地区二线DRAM企业代表,南亚科技与力积电、华邦电子均借行业趋势实现发展突破。

原新闻链接:

https://www.trendforce.com/news/2026/01/19/news-nanya-tech-posts-record-q4-eps-nt3-58-flags-tight-ddr543-supply-and-1q-price-hikes/

3.  英特尔14A工艺项目推进俄亥俄工厂建设提速

当地时间2026119日据trendforce网站消息,英特尔俄亥俄州14A工艺节点及旗舰生产中心项目取得实质进展,关键承包商柏克德正扩大招聘推进建设。该项目虽历经两次延迟,但目前建设稳步推进,相关工艺研发也按计划开展。

据悉,英特尔2022年宣布的价值280亿美元俄亥俄一号项目,原计划2025年启用,现调整为2031年启动。过去三年,项目累计工时超940万小时,浇筑混凝土可填满13个以上体育场,铺设数千英尺地下管道,截至20252月已雇佣156名俄亥俄州全职居民。20258月,英特尔CEO与美国政府达成协议,获得剩余CHIPS法案资金,虽有6名项目负责人离职但已补聘,项目未偏离轨道。

目前,柏克德正为新奥尔巴尼园区招聘项目经理等关键岗位,14A工艺计划2027年量产,2026年初将向外部客户提供早期工艺设计套件。英特尔CEO此前在CES2026上表示,公司正大举布局14A工艺,预计良率和知识产权组合将持续提升。该项目更多进展将在122日英特尔发布的2025财年报告中明确。

原新闻链接:

https://www.trendforce.com/news/2026/01/19/news-intels-ohio-14a-project-gains-traction-as-key-contractor-bechtel-reportedly-ramps-hiring/

4.  美威胁征100%关税逼外企本土产内存韩台厂商承压

当地时间2026119日据chosun.com消息,美国商务部长霍华德卢特尼克在美光纽约锡拉丘兹附近新工厂奠基仪式上称,内存芯片厂商要么赴美生产,要么面临100%关税,此举被解读为针对三星、SK海力士等韩企及中国台湾地区厂商。

三星虽承诺在美投资半导体前后端业务,却未明确DRAM工厂计划;SK海力士斥40亿美元在美建先进封装及研发中心,亦不含DRAM生产线。中国台湾地区的南亚科技、华邦电子等DRAM供应链关键企业,同样面临关税风险。目前仅美光有在美生产DRAM计划,其博伊西工厂2027年投产,纽约工厂2030年启动。

分析师认为,韩企短期受影响有限,三星与SK海力士占全球70%DRAM市场份额,且美国缺乏替代来源,无二者HBM供应,英伟达等企业难产高性能AI芯片。但韩企正斥数百万亿韩元投本土龙仁半导体集群,赴美建DRAM厂资金灵活性不足。美方关税或最终推高美国企业及消费者成本。

原新闻链接:

https://www.chosun.com/english/industry-en/2026/01/18/CA5NQ4HG6VEVRPCWZVZW4AAYU4/?outputType=native

5.  DDR4领传统内存涨价多品类供应需求逆转

当地时间2026119日据trendforce网站消息,传统内存市场迎来供应需求逆转,DDR4DDR3及各类闪存价格大幅上涨。多家主流内存厂商转向服务器应用,导致传统内存供应收紧,而多领域需求稳健,推动价格攀升。

2026年一季度,DDR4价格暴涨最高达50%,涨势将延续至二季度,企业级采购商采购积极是主因。DDR3供应因产能重新分配更趋紧张,2Gb等高容量产品严重短缺,补涨行情成型。集邦咨询预测,一季度传统DRAM合约价环比上涨55%60%,中国台湾南亚科技有望受益,2026年营收或破3000亿新台币,毛利率达70%

NOR闪存一季度价格涨幅20%30%,海外厂商缩减产能为中国台湾供应商创造机遇;NAND闪存方面,闪迪等厂商计划3月起大幅上调企业级合约价,单季度涨幅可能翻倍。目前多家主流内存厂商暂停报价,新一轮谈判将于1月底至2月间结束,整体涨幅或超预期,集邦咨询预计所有NAND闪存产品合约价将上涨33%38%

原新闻链接:

https://www.trendforce.com/news/2026/01/19/news-ddr4-reportedly-leads-legacy-memory-rally-with-q1-prices-up-to-50-ddr3-in-tight-supply/





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